2021年11月，東莞記憶存儲科技有限公司榮獲“創(chuàng)新東莞科學技術獎評選辦公室”頒發(fā)的“2021創(chuàng)新東莞科學技術獎”一等獎。

“大容量存儲芯片的超薄多晶體堆疊封測工藝的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項目圍繞移動終端設備邏輯存儲芯片封裝測試領域，以多疊層固晶技術和金/銀/銅線引線鍵合技術為核心技術，兼具高端邏輯芯片SOC封裝測試工藝技術，構建一個具備封裝產(chǎn)品設計能力和工藝研究能力的平臺。其中，記憶實現(xiàn)了3D晶圓加工工藝開發(fā)，尤其是成功導入先進的環(huán)切工藝+隱形切割+冷熱擴張工藝，達到國際一流水平，實現(xiàn)核心關鍵技術國產(chǎn)化，可替代進口。

本次記憶榮獲由東莞市科技局及東莞市高新技術產(chǎn)業(yè)協(xié)會評選的科學進步獎一等獎，代表社會公眾對封測團隊的鼓舞和肯定，是近十年匠心沉淀積累的成果，是全體記憶人智慧的結晶。